中芯国际发布的公告中称，根据美国相关法律法规的规定，对用于10nm及以下技术节点的产品或技术，美国商务部会采取“推定拒绝”（Presumption of Denial）的审批政策进行审核；同时公司为部分特殊客户提供代工服务也可能受到一定限制。
中芯国际先进芯片制造领域所需的海外合作厂商，几乎都因此受到了波及。
被列入“实体清单”，中芯国际早有预期。今年9月份起，就有媒体爆料称，美国正计划将中芯国际列入“实体清单”。据中芯国际公告显示，该公司一直与美国商务部沟通，以期得到公平、公正的对待。但现在的结果显示，美国政府延续了无端打压中国科技企业的行径。
这也意味着，在中芯国际，乃至中国芯片的研发上，一道壁垒已挡在了10nm的节点上。
12月21日，时代财经致电中芯国际投资者关系部，相关负责人表示，一切以公告为准。不过，该负责人向时代财经透露，中芯国际新一代芯片技术FinFET N+1已研发成功，并进行了小量试产。
10nm以下技术遭“卡脖子”
所谓“实体清单”，是美国商务部设立的出口管制条例。被列入“实体清单”的外国企业，美国将禁止本国企业在某些领域与其合作。
更为霸道的是，即使一家企业不是美国企业，但只要它与美国企业有合作，美国也会对其施压，禁止其与“实体清单”上的企业来往。
今年6月，中芯国际在科创板上市时，其招股书便写明：“2019年5月，美国商务部将若干中国公司列入‘实体名单’……若干自美国进口的半导体设备与技术，在获得美国商务部行政许可之前，可能无法用于为若干客户的产品进行生产制造。”
而如今，轮到中芯国际自己被列入“实体清单”了。
“该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响。”中芯国际在公告中表示。
据中芯国际2020年三季报显示，公司的芯片收入中，技术节点在100nm以上的占38.6%，90nm～40nm的占46.4%，较先进的28nm、14nm共占14.6%，剩余其他仅占0.4%。
也就是说，即使中芯国际已成功研发14nm以下的先进技术，目前也尚未大规模投产。而此次美国对中芯国际采取的措施，属于更先进的10nm以下产品或技术，尚未波及中芯国际的主营芯片。
但美国商务部对中芯国际采取的措施，如同一道无形的壁垒，横挡在了10nm的位置。
中芯国际其新一代芯片技术FinFET N+1技术已研发成功，并进行小量试产。
此前10月12日，与中芯国际合作的芯动科技也宣布，公司已完成FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次测试通过。
创道投资咨询总经理、天津集成电路行业协会顾问步日欣认为，FinFET N+1已经可以对应7nm制程。而业界中即使比较保守的观点，也认为FinFET N+1优于10nm。
另寻出路
芯片制造是一个庞大的工程，涉及到多个步骤。一颗芯片的制造，首先需要由晶圆厂从原料中提取出单晶硅、切割成一片片晶圆；然后由芯片设计公司提供设计蓝图。中芯国际等芯片代工厂，利用供应商提供的晶圆，按照芯片设计蓝图，把芯片制造出来。
芯片制造本身也大有学问。晶圆表面要先附上刻有电路纹路的光刻胶，然后光刻机再在其上进行刻蚀，刻蚀完毕后，再利用特有的光刻胶清除剂，将光刻胶去除。刻上电路的芯片，最后还需要进行封装，使芯片与外部器件实现连接。
掩模制作、切片、扩散、光刻、刻蚀、离子注入……每个步骤背后都是一整条产业链。目前这些产业链大部分都被海外厂商垄断，而这些厂商大多与美国企业合作，在美国商务部的威逼下，这些厂商或将难以跟中芯国际保持合作。
其中最主要的莫过于光刻机。前瞻产业研究院的一份分析报告显示，荷兰的ASML占据了2019年全球光刻机市场份额的75%，日本的尼康和佳能合计占据19%。
ASML还垄断了最先进的第五代光刻机技术，22nm～7nm的芯片制造，都需要从ASML进口光刻机。
在半导体光刻胶上，中国工厂也严重依赖进口。半导体光刻胶基本为日本企业垄断，日本合成橡胶(JSR)、东京应化(TOK)、住友化学、信越化学四家日企，在全球光刻胶市场份额接近8成。
芯片设计就更不必说，全球收入前三的博通、高通和英伟达，全部都是美国企业。但在这个领域，中芯国际已可以跟同被列入“实体清单”的华为海思合作。
海思在芯片设计领域已实现国际较高水平：“之前华为在台积电流片，麒麟9000处理器的工艺制程是5nm。”
如今来看，中芯国际得另寻出路。步日欣认为，中芯国际可能会转向往先进封装和chiplet技术发力，通过三维封装的方式，提高单位面积的晶体管数量。
