光刻的方式才是芯片生产的关键，但是目前国内的光刻机还未达到最先进的水平，不过我们在光刻机制造的关键器械上却迎来了不小的突破。
这项突破能为国内的芯片生产带来什么样的转机呢？
本期节目就带大家一起来解读。
光刻机的制造难度相当大，其主要原因就是其中包含的关键技术十分广泛，其中最重要的三项技术就是EUV光源、双工件台和光学镜头。
在这其中，技术难度最高，制造难度最大的当属双工件台了，但是国内在这方面的研究却并不落后于其他国家，这就是因为近期国内迎来的突破改变了阿斯麦垄断的局面。
在国内获得突破之前，双工件台技术同样是被阿斯麦牢牢掌握在手中的，但是北京的华卓精科公司和清华的研发团队进行合作，成功打破了阿斯麦垄断该项技术的局面。于是，到目前为止，全球内掌握双工件台的研发和制造技术的只有阿斯麦和我国的华卓精科公司。
双工件台是用来做什么？
简单理解的话，我们可以将其说成是光刻器件进行工作时的工作台，主要就是对晶圆进行一些光刻前的准备工作。
但是双工件台的特殊之处就在于，它可以同时承载两块晶圆，但是这两个工件台之间是没有任何的联系的，也就是独立进行工作，一块晶圆在进行光刻时，另一块晶圆就可以进行相关的准备工作。
这样就能极大提高光刻的工作效率，降低芯片生产的成本，可见这个技术对于企业来说意义重大。
当然，在近两年的事件中，我们深刻地认识到了技术自主对于一个企业的重要性，所以在这次的双工件台研发的过程中，国内的团队也十分注重技术自主。
值得高兴的是，国内的双工件台不仅实现了技术的自研，就连整个设备在生产过程中所用到的零件，也全部实现了国产化，所以这项成就下，我们不用担心“卡脖子”的问题。
不仅如此，在这台设备上，国内研发的技术水平和能够实现的制程水平，也基本达到了阿斯麦公司同等的水准。这并不是夸大其词的说法，目前国内上海微电子的28纳米浸入式光刻机，所使用的双工件台就是华卓精科的产品。
最高的精度已经可以达到1.7纳米，可以在65纳米以下的芯片制程上使用，但是其高速运作的情况下，理论上是可以实现2纳米制程水准的。当然，要想实现这种精度，还是需要EUV光源和镜头等其他要素也能达到高精度。
换句话来说就是，只使用双工件台并不能达成2纳米，还是需要和其他零件进行配合。
目前，国内的芯片制造水平已经达到了28纳米的阶段，可以说28纳米的相关技术我们已经有了绝大部分的突破，比如在国内的光刻机，蚀刻机和硅材料的研究上，都在不断取得着进步。
那我们什么时候能够达到国外企业的先进水平呢？
其实芯片产业链是一个相当复杂和庞大的工业链，其中包括的技术不是一朝一夕就能完全突破的。就以光刻机为例，目前国内在双工件台上已经取得了突破，但是在光源和镜头上还需要进一步的研究。
短时间内国内的相关技术还是会和国外企业存在一定的差距，但是这种差距并不是不能缩小的，就像尹志尧前段时间的预测一样，国内和国外的技术差距其实并不大，需要5到10年就可以完成追赶，因为目前中国的芯片行业已经进入了快车道，资金的涌入和重视程度的提高，势必会给国产芯片带来一个春天。
在尹志尧的带领下，国产的蚀刻机也用了14年的时间达到了国际领先的水平，我们并不是没有赶超的实力，而是需要赶超的时间。
虽然国内在光刻机的核心器件双工件台的研究已经取得了重要突破，但是和阿斯麦运用多年的技术相比，国内的技术还是过于稚嫩，需要时间的检验和实际运用中的改进，另外，国内光刻机生产企业的技术落后，一定程度上也会拖慢相关的进度，如何运用于实践也是个值得思考的问题。
但是如今双工件台的突破，至少向我们展示了国内科研人员的不断努力，这就意味着我们在芯片领域的蜕变正在进行，等到“夏天”来临，中国的半导体事业一定会一鸣惊人。
