可能很多人不理解，全球没有一个国家，能够完全靠自己，不依赖别人就能够生产出芯片来的，美国不行、日本不行，韩国也不行，为何中国偏要行？
这是因为日本、韩国都是美国的小弟，所以美国愿意“赏”口饭给日本、韩国吃；所以像日本、韩国等可以不建立芯片全产业链，依赖美国也没什么问题。
但中国要崛起，就不吃美国那一套，芯片将是中美科技的主战场，就必须得打破封锁，拥有自己的全套产业链，所以只有靠自己。
而我们知道芯片制造需要几十上百种设备，几百道工序，非常复杂，同时芯片制造遵循短板理论，那就是最高工艺，取决于最落后的那一款，也就是最短的那一块“板子”。
那么问题就来了， 目前国内在芯片制造过程中，最落后的那一环是什么？
在芯片制造的过程中，可以精略的分为8个主要流程，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、前道测试，所以至少有8种关键设备。
那么这8种关键设备中，哪一环最弱？可能很多人都非常清楚，那就是光刻，目前在扩散、薄膜沉积、离子注入、CMP抛光、前道测试等领域，国产至少达到了28nm，有些甚至达到了14nm，像刻蚀设备最牛，达到了5nm，中微半导体的刻蚀机，台积电都在用，早达5nm了。
但光刻部分，目前最强的企业是上海微电子，官网显示，精度还在90nm，据称90nm分辨率的光刻机，经过多重曝光后，可达28nm，但至今没有谁验证过，因为这样多重曝光后，良品率没法保证，厂商们不敢冒险。
那么你以为光刻就是最落后的一环了？如果只说设备，那应该是的，但如果考虑到半导体材料，则又不是的，因为像电子特气、抛光垫、高纯靶材、湿化学品这几个领域，国内没有做到100%覆盖，有些必须从美国、日本进口。
所以严格说起来，最短的短板在材料，其次是光刻设备，只有把这两块都解决掉之后，国内才真正拥有全产业链，并且达到28nm左右、甚至14nm左右的水平，否则全国产制造芯片，就是“水中望月”。
