很多人就有疑问了，称如果我们全用国产的设备、材料来生产芯片，难道还会受限制么？全国产究竟能够达到几nm，不说高端芯片，能不能生产中端芯片，用到华为的中端机上？
今天就给大家说说如果采用全国产的设备、材料，我们能够制造达到多nm的工艺？
芯片生产过程中涉及到几十种设备，上百道工序，我们只捡重点的说。芯片制造至少有三个步骤，那就是单晶硅片制造、前道工序、后道工序。
单晶硅片制造就是把砂子变成晶圆的过程，由于这一块基本不限制，所以不展开说。国内有制造晶圆的厂商，比如沪硅产业，有300mm的晶圆，可用于14nm的工艺。所以在晶圆这一块，我们认为可以达到14nm。
前道工序是重点，就是晶圆变成芯片的过程，由代工厂完成，也是限制的重点，这里分为8个小流程，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试，所以至少有8种关键设备。
扩散设备、薄膜沉积这一块有北方华创，最新工艺是14nm，国产光刻机最强是上海微电子，工艺是90nm，刻蚀机则是中微半导体，达到了5nm。
离子注入有中科信、凯世通、工艺则在28nm左右，据称中科信可以达到22nm了。CMP抛光是华海清科、中电科，工艺节点是14nm。
金属化这一块不难，最后说说测试，这一块至少有4家企业，有睿励科学、中科飞测等，工艺在28nm。
但是我们知道，在芯片制造中，是遵行短板理论的，就是能生产多少nm芯片，取决于最落后的那一环节，所以严格来讲，不考虑光刻机，在28nm。
但光刻机最落后，还在90nm，所以最终结果是如果不用国外的光刻机，那就只有90nm了，其它设备再先进，达到5nm也没有用。
最后还要注意的是，在生产芯片的过程中，还有很多的材料，比如特气、光掩膜、光刻胶、光刻胶辅助材料、湿化学品、靶材、抛光液等。有些产品国内没有，必须从日本进口。这也是一大障碍。
最后说说后道工序，这里主要是封测厂商在做，这里基本也不限制，所以不展开讲，国内有三大巨头，分别是江苏长电、天水华天、通富微电，技术达到了5nm。
可见，采用全国产的设备、材料来制造芯片，真的很难，考虑全套材料的话，甚至在目前不太现实，不考虑材料的话，最多达到90nm，不考虑光刻机，最多达到28nm，可见我们还有很多需要依赖国外产品的地方，在芯片这一块，我们要补的课还有很多。
