国产7nm的进展
国外在芯片技术上的把持度是非常高的，设备、软件和材料等等，几乎都需要从国外进口。包括欧美国家也拥有英特尔，ASML这样的半导体巨头。可是欧美国家也存在共同的问题，那就是芯片制造业不足。
不难发现，全球主要的芯片制造生产中心几乎都是在亚洲。以台积电，三星为主，长期占据高端芯片工艺的高地。
美国为了实现本土芯片制造业的发展，多次邀请台积电赴美建厂，台积电最终也答应了。包括欧盟也定下了相应的半导体发展目标，未来十年逐步提升欧洲芯片制造自给率。
那么中国呢？值得一提的是，中国大陆最先进的芯片制造巨头中芯国际已经突破了7nm。在国产7nm的进展下，拟计划在4月份展开试产工作。届时对国产芯片来说，又是一大里程碑。
但是要想取得国产芯片的全面崛起，还需要产业链的协同进步。好消息是，国产芯打破海外垄断，在相应的半导体设备和技术方面，再取得2项突破。
再获突破
国家已经在大力扶持国产半导体产业链的成长，对众多企业，机构都将给予支持。在芯片市场变局的情况下，国内企业，机构未曾懈怠，终得突破。
首先由中国电子科技集团旗下所属装备公司取得进展，在离子注入机全谱系产品上实现国产化，工艺也覆盖至28nm。作为芯片制造的一大重要设备，能够在离子注入机领域实现全谱系国产化，对未来参与到高端离子注入机设备的攻克，会更具意义。
去年中旬我国高能离子注入机才实现百万电子伏特高能离子加速，达到了国际水准。而今年同样是中国电子科技集团获得突破。
其次芯片设备巨头中微半导体也表示过，ICP刻蚀设备Primo Twin-StarR已经完成生产并交付，在良率水准上保持稳定。相比国际设备，中微半导体新突破交付的刻蚀设备，有更小的占比面积和更低的生产成本。
国产芯片产业链中，又在重要环节打破海外垄断，2项突破意义都十分重大。一个是离子注入机的全谱系产品国产化，另一个是芯片刻蚀设备的全新突破。对国产芯片的发展而言，都至关重要。
即便是外界的人也知道，要想生产芯片离不开的就是设备，只有解决设备问题，才能投入生产，研发。而在芯片制造设备领域，早已经稳步前行。
国产芯大有可期
去年国产芯片供应链遭到了冲击，原本能正常采购，代工的企业，在芯片规则之下，被卡住了脖子。要想解决问题，最好的出路就在于国产化。既然无法使用对方的技术生产，那就自主自研。
芯片设计、制造、设备、材料等等都有好消息传来，要么突破，要么打破垄断，在不断努力下，国产芯大有可期。虽然目前还有许多不足的地方，可只要坚定目标，铆足劲就一定能取得更大的进步。
已经有越来越多的企业参与国产半导体产业的发展，正所谓众人拾柴火焰高，单个企业的力量是有限的。可集成全部产业链的力量之后，再大的困难也终将逐一打破。
