小小的一颗芯片上集结了人类最为顶尖的文明，制造一颗芯片所使用到的技术，也是全球最为先进的，而目前芯片也成为了科技进步的“关键因素”，面对即将到来的数字化时代，每一个行业的改革芯片都是重要的“参与者”。
就拿我们目前的手机来举个例子吧，如果没有芯片的话，目前我们使用的手机就会变成一块废铁，目前芯片在各个行业当中的占比越来越重，因此目前无论是芯片设计公司还是代工厂都成为了“香饽饽”。
在芯片整个产业链当中，芯片的制造环节是最难的，在全球范围内的芯片代工厂也是屈指可数，得益于ASML公司的股东身份，台积电有了优先获取光刻机的权利，因此台积电也成为了全球最大的芯片代工厂，占据了全球市场份额的51%以上。
能够取得这样的成就，主要还是归功于台积电的先进技术，已经拥有了成熟的5nm量产工艺，目前正在朝3nm的制程工艺迈进，台积电将在今年实现对于3nm芯片的风险试产，预计将会在明年完成正式的量产。
目前各方面优势都已经倒向了台积电，我们也一致认为台积电会率先制造出3nm的芯片，然而令人没想到的是，作为台积电最大竞争对手的三星，会率先生产出3nm的芯片，台积电的代工地位也受到了挑战，这一次要去居第二了吗？
三星3nm芯片正式亮相
根据最新消息显示，三星在IEEE ISSCC固态电路大会中，公开展示了自己的3nm“SRAM”存储芯片，虽然这一次推出了是工艺相对简单的存储芯片，但却是实打实的利用3nm技术打造的，这颗芯片的面积仅为56平方毫米，其内存容量却达到了32GB。
在很早之前就有消息传出，三星有可能直接放弃研发更为成熟的5nm工艺，直接越级研发3nm的工艺，而根据最新的消息显示，有可能这一次三星已经实现了“弯道超车”，而利用的就是此前传出的新技术GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）。
而传统芯片的制造采用的都是FINFET技术，相较而言GAAFET技术在集体管的排列上更加的紧密，在能耗控制上至少降低了50%，而在性能上至少提升超过30%，只需要0.23毫安的能源就可以运行。
显然相比于台积电的老技术，三星最新的技术要更具备优势，此前台积电制造的5nm芯片在相关性能上并没有比7nm芯片提升多少，反而在功耗上提高了不少，而这也是5nm芯片的通病，因此最有可能的原因就在于技术上。
虽然台积电的良品率要优于三星很多，但如果不能有效地控制好能耗，提升一定的性能，相信很多的芯片企业也不会为此买单的，因此台积电也将面临着不小的挑战，毕竟三星覆盖的业务范围较广，而台积电除了芯片代工技术以外，似乎已经拿不出任何的亮点了。
所以对于台积电而言，在3nm的制程工艺上，他们丝毫没有退路可言了，而三星之所以在良品率上有所欠缺，很大一部分原因是所涉及的业务过于繁杂，并没有把全部的精力用于芯片上，而且相比于财力，台积电跟三星也是没有办法比较的。
就算是面临这样的困境，台积电也并非一点机会都没有的，因为台积电是最早突破3nm技术屏障的企业，虽然三星首发了3nm的芯片，但也仅仅是存储芯片，而台积电的最大优势就在于良品率高、技术成熟，因此也并非没有逆袭的机会了。
