芯片作为现代工业“皇冠上的明珠”，每一颗芯片的制程过程都异常的艰难，看似只有指甲盖大小的芯片，却在里面集成了超过几百亿的晶体管，利用上最顶尖的技术，经过几十道工序的历练，任何一个细微的偏差都有可能功亏一篑，这也是为什么芯片价格那么高的原因。

对于制造芯片来说最为关键的设备就是光刻机了，最为顶级的7nm EUV光刻机只有荷兰的ASML能够生产，因此我们在芯片的制程工艺上变得非常的被动，中芯国际也始终无法突破7nm制造的瓶颈。

而还有一个制造芯片的关键设备，长期以来被美国的两家公司垄断，占据了全球超过70%的市场份额，而它就是专门用于芯片应用材料产品线的离子注入机，就在近期国内传来了一则好消息，中国实现了对于离子注入机的国产化，打破了美国的技术垄断。

关键设备打破美国垄断

就在近日中国电子科技集团正式宣布，在离子注入机全谱系列产品上实现了国产化，工艺可以覆盖到28nm，其中突破的技术包括了束流、大束流、高能、特种应用，以及最重要的第三代半导体等离子注入机。

那离子注入机究竟在芯片制造过程中，都起到了什么样的作用呢？主要利用在了对金属材料表面的制膜以及改性上面，还有就是应用于掺杂工艺上，如今中国在该领域的核心技术上实现了垄断，意味着离国产芯片的自主化又近了一步。

中国半导体的整体实力

受到相关限制的影响，目前国内半导体领域已经开启了加速状态，在很多技术上也已经实现了突破，但由于技术过于分散，企业之间的合作还没有达到理想的状态，导致了产业链的布局难度进一步加大。

但好在国内半导体企业的整体实力还是不错的，目前对于芯片制造过程中最主要的设备光刻机，上海微电子已经取得了突破，首台国产的28nm沉浸式光刻机机也即将迎来组装下线，中微半导体在刻蚀机领域也取得了重大成就，外加上此次中电科突破的离子注入机技术，国产自主产业链也得到了进一步的完善。

虽然目前我国芯片整体水平还处在28nm，如果能够实现对于28nm芯片的完全自主国产化，那么之后的工艺突破也将变得更加顺畅，目前中芯国际也将在4月份风险试产7nm芯片，国产芯片未来可期。

芯片自给率进一步提高

在宣布全力加速芯片核心技术攻克的同时，国家也制定了要在2025年之前，实现芯片70%自给率的目标，而根据可靠数据显示，目前国内芯片的自给率还不到30%，虽然很难，但有了国内尖端科技企业的共同努力，相信肯定可以完成目标的。

对于我们来说，随着离子注入机的研发成功，对于芯片70%的自主化又近了一大步，只有把核心设备逐一解决，我们才能够真正解决目前芯片领域的困境，众所周知目前国内在整条芯片产业链当中，被卡的最严重的就是芯片制造环节了，好在国内企业在研发国产光刻机的同时，也在不断寻找“弯道超车”的方法，而目前在碳基芯片以及光芯片上，我国都已经取得了非常不错的成绩。

从去年开始，国内就不断传来了半导体领域技术突破的消息，在美国的相关限制之下，反而给我们带来了意想不到的效果，事实也证明，中国并非没有技术研发的实力，而是此前的科技企业一直遵循着“造不如买”的商人思维，导致对于科技创新的热度过低，才导致了如今这样的局面。