其中，华为全面进入芯片半导体领域，消息称，华为要研发突破相关光刻机技术、光电芯片等技术，还要储备自主芯片生产线。
国内顶尖研发机构也将光刻机技术作为首要突破的技术，而上海微电子也在加速国产先进光刻机的发展，预计今年下线全新国产先进的光刻机，可以用其制造7nm芯片。
最主要的是中芯，其先后突破14nm和N+1工艺的芯片，并用14nm工艺量产了麒麟710系列芯片。
另外，在芯片制造方面，中芯14nm芯片的良品率已经追平台积电，而N+1工艺的芯片也进入规模量产阶段。
要知道，中芯N+1工艺的芯片与台积电7nm的芯片很相似，只不过，N+1工艺的芯片主打低功耗，但今年将有主打高性能的N+2芯片。
中芯即将风险试产，台积电、三星只能接受现实
据悉，目前仅有三星和台积电能够量产7nm以下制程的芯片，但中芯梁孟松之前曾表示，中芯已经完成了7nm的芯片开发任务，将会在4月份风险市场。
如今，已经进入3月份下，也就是说，中芯即将风险试产7nm的芯片，而台积电、三星只能接受现实，7nm芯片领域内，即将多一个玩家。
消息称，中芯对成功风险试产7nm芯片的信心相当足，因为N+1工艺芯片的逻辑面积与台积电7nm很相似。
另外，中芯也可能是采用多次曝光工艺制造7nm芯片，为了保证以后的产能，中芯已经与ASML签订了12亿美元的光刻机协议。
也就是说，中芯成功试产7nm芯片后，全球就将会多一家能够生产制造7nm芯片的企业，届时，台积电和三星的7nm芯片订单就有了新的对手。
当然，除此之外，中芯的芯片制造技术发展也很快，3年时间就从28nm进步到7nm，并且，14nm芯片的良品率短时间内追平了台积电。
所以才说台积电、三星只能接受现实，更何况，中芯还在不断扩大芯片产能，今年将把部分产品的产能提升至4.5万片/月，还在北京、深圳等地区建设的新工厂。
中芯将进入发展的快车道
芯片制造技术已经面临天花板，2nm制程的芯片或将是极限，或许正是因为如此，台积电才联合苹果共同研发2nm芯片。
这意味着芯片企业将寻找其它出路，以提升芯片的性能，并降低成本制造的成本。
据悉，中芯蒋尚义已经明确表示，先进的封装技术和集成电路技术将能够达到单一芯片的性能，其也就是所谓小芯片。
而在小芯片方面，AMD已经取得了成功，这意味着中芯蒋尚义的方案是可行的，而在小芯片领域内，蒋尚义一直在前进，自然能够带来中芯在这方面领先。
也就是说，小芯片可能会成为中芯弯道超车的几乎，毕竟台积电和三星都在将更多精力放在3nm和2nm芯片上。
再加上，中芯目前正在不断扩大产能，7nm芯片又将试产，所以才说中芯将进入发展的快车道。
