国产芯片行业何时迎来转机，谁能代替台积电，带领国产芯片行业迎来发展？现在我们每每提到芯片问题，总会谈到华为和台积电。
因为现在全球半导体行业的规则发生了变化，全球芯片市场也因此出现了动荡，国内很多依赖进口芯片的公司瞬间出现了芯片断供的问题。
其中受影响最严重的当属华为旗下的海思公司。因此，在谈到芯片制造的时候，很多国人也寄望于中芯国际，希望它能像台积电一样大规模地发展起来，撑起中国芯片的半边天。
但是直到现如今，芯片生产过程中所需的关键设备——EUV光刻机，碍于瓦森纳条约的规定，中芯国际仍然不能向荷兰阿斯麦采购得到。
在这种情况影响下，我们的芯片制程一直处于缓慢发展的状态。尤其是当中芯国际要迈进7纳米工艺这个节点更是举步维艰。
可以说，如果中芯国际突破了7纳米的工艺制程，那我们离全球的工艺水平也就不远了。但是在现阶段，全球很多公司都停在了10纳米的工艺节点上，比如英特尔和AMD。
现在能够正常生产7纳米芯片的公司全球只有2家，那就是三星和台积电，只可惜这两家公司都无法和华为展开正常的合作。
不过最近根据中芯国际放出的消息来看，公司的芯片制程问题将得到进一步解决，并且将会涉及到7纳米芯片工艺制程。
根据上海市发改委最近公布的消息，中芯国际的12英寸芯片sn1项目已入选上海市2021年重大建设项目清单，当前正处于建设状态。
根据公示的信息，该项目将会斥资90.59亿美元，折合580亿，在不久之后就会正式投入运营，预计月产能3.5万片晶圆。
更重要的是，sn1项目将是中国国内第一条基于中芯国际成熟FinFet工艺的生产线，也是其14纳米及以下先进工艺研发和量产的主要承载平台。
现在中芯国际的14纳米已经进入量产阶段，7纳米工艺最近也进步不小，有望在4月份进行风险测试。
也就是说，现在中芯国际通过DUV光刻机的多重曝光，能实现7纳米芯片工艺的研发。
因为中芯国际的梁孟松在14纳米芯片的研发中，通过FINFET的N+1工艺做出了等效7纳米的芯片，在性能上提高了整整20%.
而此次的7纳米芯片将会继续采用梁孟松特有的工艺，并将其命名为FINFET N+2工艺。此款工艺将会在原有的基础上进行改革，使之满足国内芯片的现状。
与此同时，在布局7纳米芯片的同时，中芯国际还同时开展了5纳米和3纳米工艺的技术攻关，希望在缺少euv光刻机的情况下，中芯国际能够有所突破。
现在台积电和三星都给自己定下了目标，他们的3纳米芯片能够在2022年开始实现正式的量产，而2纳米的工艺也有望在2024年进入生产线。这对没有高端光刻机的中芯国际来说，提出了更高的挑战。
可以看出，现在我们发展自己的产业链，完全都是被国外的技术垄断给逼出来的，我们当前的芯片行业发展任重而道远。
现在三星和台积电为了EUV光刻机的订单抢破了头，而阿斯麦刚公布了2021年euv光刻机的产量仅为40台。仅一个台积电的订单就达到了半数以上，我们何时能采购到高端光刻机还是未知之数。
但任正非曾说过，我们国内和华为遇到的困难就是在芯片的制造问题上，但是华为并不能两者都兼顾。
通过任老的发言，我们能看出国产芯片的无奈，同时更是在告诉我们，在现阶段情况下我们更应该通力合作，让芯片自主化的风彻底刮起来。
