众所周知，在芯片的研发制作过程中，进入流片就意味着已经进入试产，而成功流片则表明，该款芯片已经通过试产的测试，并且全程零失误，接下来就可以量产。也就意味着，三星的3nm芯片离大规模量产不远了。
值得一提的是，如今三星和台积电都在冲刺3nm制程，此前美国的IBM甚至公布制造出了2nm芯片。总之，在芯片先进制程上，各国各巨头都在你追我赶，唯恐落后。
那么我国在芯片领域的成果如何呢？我国芯片巨头中芯国际CEO梁孟松曾官宣，中芯国际将于2021年4月风险试产7nm，当时此消息一出，国人为之沸腾。然而，一直到现在，关于7nm芯片的消息迟迟未有。主要原因是因为我国芯片制造仍然面临一个难题，那就是制造高端芯片的EUV光刻机的缺位。由于老美的“芯片”禁令，我国无法获取荷兰阿斯麦的EUV光刻机，这也使得我国实现高端芯片制程充满坎坷。
高端芯片因光刻机的缺位难以突破，然而，最近我国在中端芯片领域迎来一项重大突破。据6月23日IT之家消息，纯国产的28nm芯片和14nm芯片即将实现量产。日前，环球网也证实了这一消息，国内电子信息研究所所长温晓君明确表示，28nm和14nm国产芯片将正式进入量产阶段，其中28nm将于今年实现量产，而14nm则将在明年量产。
当然国人兴奋之余，也有不少人疑惑，台积电、三星都在发展3nm了，我国14nm现在才突破值得高兴吗？
对此，我国龙芯总设计师胡伟武对外呼吁：“国内90%以上的产品其实都可以使用14nm以及28nm来满足，目前这两种工艺都已经够用了。因此我们不必跟风，人家做5nm、3nm，我们不一定急着做。”
我国工程院院士吴汉明也公开对此表示：“芯片发展要做好打持久战的准备，急是急不来的，要一步一步来，不可能一下子就达到100%的自给率，必须要脚踏实地走好每一步。”
吴院士认为，其实目前国内最需要的并不是7nm和5nm的先进芯片，而是28nm的成熟制程芯片，我们应该从实际需求出发，不要一味的攀比先进工艺。吴院士一番话可以说醍醐灌顶。
的确，对于如今光刻机缺位的国产半导体巨头而言，突破14nm纯国产制程已经算是巨大成功了。
也就是说短短三年时间，国产芯片在没有国外技术支持的情况下从90nm直接跨度到14nm。我国芯片真正进入的中高端列，迈入新的篇章。这个好消息，让国人看到了国产芯片的曙光，这背后是国产半导体整体实力的提升。
