在IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星展示了其3nm工艺制程制造的芯片，准确的说是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，预计明年实现量产。重要的是写入电压仅需0.23V，为何要强调写入电压呢？
芯片的漏电现象可以说是芯片功耗最大的杀手锏，目前漏电所产生的功耗占据了芯片功耗的50%以上。曾经的台积电因为漏电还荣获“台漏电”的称号。而更低地写入电压可以改善芯片的漏电现象。
这对于目前功耗不断创新高的手机来说是一件好事。功耗低了，就不需要那么强的散热了，就不需要太多的空间来堆散热了，手机的电池也就可以更大了，续航问题不就解决了？
一直被台积电压一头的三星这次可能真的要实现弯道超车了，三星和台积电的3nm工艺制程使用的是不同的技术路线。三星的3nm工艺制程晶体管的密度能增加80%多，功耗降低50%；台积电的3纳米制程集体密度增加70%，功耗可降低27%。但从技术参数上来看，三星的3nm工艺似乎是更领先的。但是技术参数是一回事，实际表现又是另一回事，这一次三星和台积电谁会是最后的赢家了？
芯片制造技术有多重要就不必多说了吧，目前中国大陆最先进的芯片工艺制程是中芯国际的14nm，和国际先进水平相差甚远。华为麒麟芯片被卡脖子，就是因为芯片的制造受制于人。
先进的芯片工艺支持需要用到EUV光刻机，目前全球唯一能生产光EUV光刻机的只有荷兰AMSL公司，而这家公司的背后又是西方国家。EUV光刻机的产量每年仅有20几台，单价高达1.2亿美元。台积电早在去年就斥巨资下单了13台。
